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Charged Semiconductor Defects

Structure, Thermodynamics and Diffusion

Edmund G Seebauer, Meredith C Kratzer
Livre broché | Anglais | Engineering Materials and Processes
191,95 €
+ 383 points
Format
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Description

Introduction Fundamentals of Defect Ionization and Transport Experimental and Computational Characterization Trends in Charged Defect Behavior Intrinsic Defects: Structure Intrinsic Defects: Ionization Thermodynamics Intrinsic Defects: Diffusion Extrinsic Defects

Spécifications

Parties prenantes

Auteur(s) :
Edmund G SeebauerMeredith C Kratzer
Editeur:
Springer

Contenu

Nombre de pages :
298
Langue:
Anglais
Collection :
Engineering Materials and Processes

Caractéristiques

EAN:
9781849968201
Date de parution :
22-10-10
Format:
Livre broché
Format numérique:
Trade paperback (VS)
Dimensions :
156 mm x 234 mm
Poids :
435 g

Les avis