Vous voulez être sûr que vos cadeaux seront sous le sapin de Noël à temps? Nos magasins vous accueillent à bras ouverts. La plupart de nos magasins sont ouverts également les dimanches, vous pouvez vérifier les heures d'ouvertures sur notre site.
- Retrait gratuit dans votre magasin Club
- 7.000.000 titres dans notre catalogue
- Payer en toute sécurité
- Toujours un magasin près de chez vous
Vous voulez être sûr que vos cadeaux seront sous le sapin de Noël à temps? Nos magasins vous accueillent à bras ouverts. La plupart de nos magasins sont ouverts également les dimanches, vous pouvez vérifier les heures d'ouvertures sur notre site.
- Retrait gratuit dans votre magasin Club
- 7.000.0000 titres dans notre catalogue
- Payer en toute sécurité
- Toujours un magasin près de chez vous
CMOS SRAM Design and analysis of low leakage and high speed SRAM cell
Rohin Gupta, S. S. Gill, Navneet Kaur
Livre broché | Anglais
54,45 €
+ 108 points
Description
In this work The novel single ended 5T and 6T SRAM cell is presented. This transistor is high density cell or takes less area than conventional 6T SRAM cell. Leakage current of this cell is very low as compared to other 5T or conventional 6T cell. There is a requirement of precharge circuit for this cell as that in conventional 6T SRAM cell. This cell is also power efficient. Also results show that the data stored in this cell is highly stable.There is always scope of improvement in any type of circuit or application. With the proposed configuration we can improve it with various techniques. We can change aspect ratio of the cell for better results. We can apply clock gating for power efficient circuit. We can improve peripheral circuit for better performance.
Spécifications
Parties prenantes
- Auteur(s) :
- Editeur:
Contenu
- Nombre de pages :
- 108
- Langue:
- Anglais
Caractéristiques
- EAN:
- 9783659861116
- Format:
- Livre broché
- Dimensions :
- 150 mm x 220 mm
