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Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Devices

B Jayant Baliga
Livre relié | Anglais
195,45 €
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Description

During the last 30 years, significant progress has been made to improve our understanding of gallium nitride and silicon carbide device structures, resulting in experimental demonstration of their enhanced performances for power electronic systems. Gallium nitride power devices made by the growth of the material on silicon substrates have gained a lot of interest. Power device products made from these materials have become available during the last five years from many companies.This comprehensive book discusses the physics of operation and design of gallium nitride and silicon carbide power devices. It can be used as a reference by practicing engineers in the power electronics industry and as a textbook for a power device or power electronics course in universities.

Spécifications

Parties prenantes

Auteur(s) :
Editeur:

Contenu

Nombre de pages :
592
Langue:
Anglais

Caractéristiques

EAN:
9789813109407
Date de parution :
15-03-17
Format:
Livre relié
Format numérique:
Genaaid
Dimensions :
155 mm x 229 mm
Poids :
975 g

Les avis