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High Permittivity Gate Dielectric Materials

Livre broché | Anglais | Advanced Microelectronics | n° 43
158,45 €
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Description

"The book comprehensively covers all the current and the emerging areas of the physics and the technology of high permittivity gate dielectric materials, including, topics such as MOSFET basics and characteristics, hafnium-based gate dielectric materials, Hf-based gate dielectric processing, metal gate electrodes, flat-band and threshold voltage tuning, channel mobility, high-k gate stack degradation and reliability, lanthanide-based high-k gate stack materials, ternary hafnia and lanthania based high-k gate stack films, crystalline high-k oxides, high mobility substrates, and parameter extraction. Each chapter begins with the basics necessary for understanding the topic, followed by a comprehensive review of the literature, and ultimately graduating to the current status of the technology and our scientific understanding and the future prospects."

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Spécifications

Parties prenantes

Editeur:

Contenu

Nombre de pages :
489
Langue:
Anglais
Collection :
Tome:
n° 43

Caractéristiques

EAN:
9783662501382
Date de parution :
23-08-16
Format:
Livre broché
Format numérique:
Trade paperback (VS)
Dimensions :
156 mm x 234 mm
Poids :
725 g

Les avis