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Nanometer Variation-Tolerant Sram

Circuits and Statistical Design for Yield

Mohamed Abu Rahma, Mohab Anis
Livre broché | Anglais
118,95 €
+ 237 points
Format
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Description

This essential reference combines state-of-the-art circuit techniques and statistical methodologies to optimize SRAM performance and yield in nanometer technologies. It shows designers how to apply practical techniques that optimize memory yield.

Spécifications

Parties prenantes

Auteur(s) :
Editeur:

Contenu

Nombre de pages :
172
Langue:
Anglais

Caractéristiques

EAN:
9781493902200
Date de parution :
15-10-14
Format:
Livre broché
Format numérique:
Trade paperback (VS)
Dimensions :
156 mm x 234 mm
Poids :
272 g

Les avis