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Nanoscale Transistors
Device Physics, Modeling and Simulation
Mark Lundstrom, Jing Guo
Livre broché | Anglais
139,95 €
+ 279 points
Format
Description
Silicon CMOS technology continues to drive progress in electronics, but device scaling is rapidly taking the metal oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) to its limit. A variety of new devices are emerging as candidates to replace MOSFETs and continue the trend downward to molecular dimensions. Nanoscale MOSFET engineering, is still governed by techniques originally developed to treat microscale devices. To push MOSFETs to their limits and to explore devices that may complement or even supplant them, this timely reference presents a clear understanding of device physics at the nano/molecular scale.
Spécifications
Parties prenantes
- Auteur(s) :
- Editeur:
Contenu
- Nombre de pages :
- 218
- Langue:
- Anglais
Caractéristiques
- EAN:
- 9781441939159
- Date de parution :
- 29-10-10
- Format:
- Livre broché
- Format numérique:
- Trade paperback (VS)
- Dimensions :
- 156 mm x 234 mm
- Poids :
- 326 g
