Club utilise des cookies et des technologies similaires pour faire fonctionner correctement le site web et vous fournir une meilleure expérience de navigation.
Ci-dessous vous pouvez choisir quels cookies vous souhaitez modifier :
Club utilise des cookies et des technologies similaires pour faire fonctionner correctement le site web et vous fournir une meilleure expérience de navigation.
Nous utilisons des cookies dans le but suivant :
Assurer le bon fonctionnement du site web, améliorer la sécurité et prévenir la fraude
Avoir un aperçu de l'utilisation du site web, afin d'améliorer son contenu et ses fonctionnalités
Pouvoir vous montrer les publicités les plus pertinentes sur des plateformes externes
Gestion des cookies
Club utilise des cookies et des technologies similaires pour faire fonctionner correctement le site web et vous fournir une meilleure expérience de navigation.
Ci-dessous vous pouvez choisir quels cookies vous souhaitez modifier :
Cookies techniques et fonctionnels
Ces cookies sont indispensables au bon fonctionnement du site internet et vous permettent par exemple de vous connecter. Vous ne pouvez pas désactiver ces cookies.
Cookies analytiques
Ces cookies collectent des informations anonymes sur l'utilisation de notre site web. De cette façon, nous pouvons mieux adapter le site web aux besoins des utilisateurs.
Cookies marketing
Ces cookies partagent votre comportement sur notre site web avec des parties externes, afin que vous puissiez voir des publicités plus pertinentes de Club sur des plateformes externes.
Une erreur est survenue, veuillez réessayer plus tard.
Il y a trop d’articles dans votre panier
Vous pouvez encoder maximum 250 articles dans votre panier en une fois. Supprimez certains articles de votre panier ou divisez votre commande en plusieurs commandes.
The operation of semiconductor devices depends upon the use of electrical potential barriers (such as gate depletion) in controlling the carrier densities (electrons and holes) and their transport. Although a successful device design is quite complicated and involves many aspects, the device engineering is mostly to devise a "best" device design by defIning optimal device structures and manipulating impurity profIles to obtain optimal control of the carrier flow through the device. This becomes increasingly diffIcult as the device scale becomes smaller and smaller. Since the introduction of integrated circuits, the number of individual transistors on a single chip has doubled approximately every three years. As the number of devices has grown, the critical dimension of the smallest feature, such as a gate length (which is related to the transport length defIning the channel), has consequently declined. The reduction of this design rule proceeds approximately by a factor of 1. 4 each generation, which means we will be using 0. 1-0. 15 ). lm rules for the 4 Gb chips a decade from now. If we continue this extrapolation, current technology will require 30 nm design rules, and a cell 3 2 size