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Silicon-Germanium Strained Layers and Heterostructures
Semi-Conductor and Semi-Metals Series Volume 74
M Willander, Suresh C Jain
223,95 €
+ 447 points
Description
The study of Silicone Germanium strained layers has broad implications for material scientists and engineers, in particular those working on the design and modelling of semi-conductor devices. Since the publication of the original volume in 1994, there has been a steady flow of new ideas, new understanding, new Silicon-Germanium (SiGe) structures and new devices with enhanced performance. Written for both students and senior researchers, the 2nd edition of Silicon-Germanium Strained Layers and Heterostructures provides an essential up-date of this important topic, describing in particular the recent developments in technology and modelling.
Spécifications
Parties prenantes
- Auteur(s) :
- Editeur:
Contenu
- Nombre de pages :
- 322
- Langue:
- Anglais
- Collection :
- Tome:
- n° 74
Caractéristiques
- EAN:
- 9780127521831
- Date de parution :
- 06-10-03
- Format:
- Livre relié
- Format numérique:
- Genaaid
- Dimensions :
- 152 mm x 229 mm
- Poids :
- 603 g
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