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The Source/Drain Engineering of Nanoscale Germanium-Based Mos Devices

Zhiqiang Li
Livre relié | Anglais | Theses
52,95 €
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Description

This book mainly focuses on reducing the high parasitic resistance in the source/drain of germanium nMOSFET. With  adopting of the Implantation After Germanide (IAG) technique, P and Sb co-implantation technique and Multiple Implantation and Multiple Annealing (MIMA) technique, the electron Schottky barrier height of NiGe/Ge contact is modulated to 0.1eV, the thermal stability of NiGe is improved to 600 and the contact resistivity of metal/n-Ge contact is drastically reduced to 3.8×10-7 -cm2, respectively. Besides, a reduced  source/drain parasitic resistance is demonstrated in the  fabricated Ge nMOSFET. Readers will find useful information about the source/drain engineering technique for high-performance CMOS devices at future technology node.

Spécifications

Parties prenantes

Auteur(s) :
Editeur:

Contenu

Nombre de pages :
59
Langue:
Anglais
Collection :

Caractéristiques

EAN:
9783662496817
Date de parution :
22-06-16
Format:
Livre relié
Format numérique:
Genaaid
Dimensions :
162 mm x 244 mm
Poids :
349 g

Les avis