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AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications

Dissertationsschrift

Jutta Kühn
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Description

This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs.

Spécifications

Parties prenantes

Auteur(s) :
Editeur:

Contenu

Nombre de pages :
259
Langue:
Anglais
Collection :
Tome:
n° 62

Caractéristiques

EAN:
9783866446151
Format:
Livre broché
Dimensions :
148 mm x 210 mm
Poids :
488 g

Les avis