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An Improved Markov Random Field Design Approach For Digital Circuits
Introducing Fault-Tolerance With Higher Noise-Immunity For The Nano-Circuits As Compared To CMOS And MRF Designs
Jahanzeb Anwer, Nor Hisham Bin Hamid, Vijanth Sagayan Asirvadam
Livre broché | Anglais
48,45 €
+ 96 points
Description
As the MOSFET dimensions scale down to nanoscale level, the reliability of circuits based on these devices decreases. Therefore, a mechanism has to be devised that can make the nanoscale systems perform reliably using unreliable circuit components. The solution is fault-tolerant circuit design. Markov Random Field (MRF) is an effective approach that achieves fault-tolerance in integrated circuit design. The previous research on this technique suffers from limitations at the design, simulation and implementation levels. As improvements, the MRF fault-tolerance rules have been validated for a practical circuit example. The simulation framework is extended from thermal to a combination of thermal and random telegraph signal noise sources to provide a more rigorous noise environment for the simulation of nanoscale circuits. Moreover, an architecture-level improvement has been proposed in the design of previous MRF gates. The re-designed MRF is termed as Improved-MRF. By simulating various test circuits in Cadence, it is found that Improved-MRF circuits are 400 whereas MRF circuits are only 10 times more noise-tolerant than the CMOS alternatives.
Spécifications
Parties prenantes
- Auteur(s) :
- Editeur:
Contenu
- Nombre de pages :
- 88
- Langue:
- Anglais
Caractéristiques
- EAN:
- 9783844332636
- Date de parution :
- 10-05-11
- Format:
- Livre broché
- Format numérique:
- Trade paperback (VS)
- Dimensions :
- 152 mm x 229 mm
- Poids :
- 140 g
