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An SOI LDMOS For Better Switch Application
Arindam Biswas, Arzoo Rafique, Anup Kumar Bhattacharjee
Livre broché | Anglais
49,45 €
+ 98 points
Description
This book is proposed to develop an SOI (Silicon on Insulator) LDMOS in which a drift region of 1-m is added to a conventional n-MOS and compare them on various aspects. The drift region utilizes the RESURF effect that is utilized to distribute the electric field into the LDD region. It is found using two dimensional simulations that the addition of a drift region of 1-m in LDMOS improves the performance of the device in terms of breakdown-voltage and switching-speed over the conventional MOSFET.
Spécifications
Parties prenantes
- Auteur(s) :
- Editeur:
Contenu
- Nombre de pages :
- 84
- Langue:
- Anglais
Caractéristiques
- EAN:
- 9783659406751
- Date de parution :
- 01-06-13
- Format:
- Livre broché
- Format numérique:
- Trade paperback (VS)
- Dimensions :
- 152 mm x 229 mm
- Poids :
- 136 g
