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Design and Realization of Novel GAAS Based Laser Concepts
Tim David Germann
105,45 €
+ 210 points
Format
Description
Semiconductor heterostructures represent the backbone for an increasing variety of electronic and photonic devices, for applications including information storage, communication and material treatment, to name but a few. Novel structural and material concepts are needed in order to further push the performance limits of present devices and to open up new application areas.
This thesis demonstrates how key performance characteristics of three completely different types of semiconductor lasers can be tailored using clever nanostructure design and epitaxial growth techniques. All aspects of laser fabrication are discussed, from design and growth of nanostructures using metal-organic vapor-phase epitaxy, to fabrication and characterization of complete devices.
This thesis demonstrates how key performance characteristics of three completely different types of semiconductor lasers can be tailored using clever nanostructure design and epitaxial growth techniques. All aspects of laser fabrication are discussed, from design and growth of nanostructures using metal-organic vapor-phase epitaxy, to fabrication and characterization of complete devices.
Spécifications
Parties prenantes
- Auteur(s) :
- Editeur:
Contenu
- Nombre de pages :
- 150
- Langue:
- Anglais
- Collection :
Caractéristiques
- EAN:
- 9783642340789
- Date de parution :
- 20-03-13
- Format:
- Livre relié
- Format numérique:
- Genaaid
- Dimensions :
- 160 mm x 234 mm
- Poids :
- 294 g
