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GaN Transistors for Efficient Power Conversion
Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, David Reusch
Livre relié | Anglais
108,95 €
+ 217 points
Format
Description
Gallium nitride (GaN) is an emerging technology that promises to displace silicon MOSFETs in the next generation of power transistors. As silicon approaches its performance limits, GaN devices offer superior conductivity and switching characteristics, allowing designers to greatly reduce system power losses, size, weight, and cost.
Spécifications
Parties prenantes
- Auteur(s) :
- Editeur:
Contenu
- Nombre de pages :
- 266
- Langue:
- Anglais
Caractéristiques
- EAN:
- 9781118844762
- Date de parution :
- 29-08-14
- Format:
- Livre relié
- Dimensions :
- 177 mm x 247 mm
- Poids :
- 633 g
