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  7. Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect

Research on Chemical Mechanical Polishing Mechanism of Novel Diffusion Barrier Ru for Cu Interconnect

Jie Cheng
Livre broché | Anglais | Springer Theses
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Description

This thesis addresses selected unsolved problems in the chemical mechanical polishing process (CMP) for integrated circuits using ruthenium (Ru) as a novel barrier layer material. Pursuing a systematic approach to resolve the remaining critical issues in the CMP, it first investigates the tribocorrosion properties and the material removal mechanisms of copper (Cu) and Ru in KIO4-based slurry. The thesis subsequently studies Cu/Ru galvanic corrosion from a new micro and in-situ perspective, and on this basis, seeks ways to mitigate corrosion using different slurry additives. The findings presented here constitute a significant advance in fundamental and technical investigations into the CMP, while also laying the groundwork for future research.

Spécifications

Parties prenantes

Auteur(s) :
Editeur:

Contenu

Nombre de pages :
137
Langue:
Anglais
Collection :

Caractéristiques

EAN:
9789811355851
Date de parution :
30-01-19
Format:
Livre broché
Format numérique:
Trade paperback (VS)
Dimensions :
156 mm x 234 mm
Poids :
226 g

Les avis