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Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich

Dissertationsschrift

Sebastian Diebold
43,45 €
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Description

Ziel ist der Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den Frequenzbereich von 200 bis über 250 GHz. Dafür sind verlässliche und flexible Leitungs- und Transistormodelle notwendig. Sie werden erstellt und ihre Genauigkeit wird bis 325 GHz bestätigt. Es wird ein Verstärkerkonzept erarbeitet, das maßgeschneidert für den Frequenzbereich und die MMIC-Technologie ist. Es nutzt einen neuartigen Koppler, der kompakte Verstärker mit hoher Bandbreite und Ausgangsleistung ermöglicht.

Spécifications

Parties prenantes

Auteur(s) :
Editeur:

Contenu

Nombre de pages :
252
Langue:
Allemand
Collection :
Tome:
n° 73

Caractéristiques

EAN:
9783731501619
Date de parution :
29-09-14
Format:
Livre broché
Format numérique:
Trade paperback (VS)
Dimensions :
148 mm x 210 mm
Poids :
303 g

Les avis