•  Retrait gratuit dans votre magasin Club
  •  7.000.000 titres dans notre catalogue
  •  Payer en toute sécurité
  •  Toujours un magasin près de chez vous     
  •  Retrait gratuit dans votre magasin Club
  •  7.000.000 titres dans notre catalogue
  •  Payer en toute sécurité
  •  Toujours un magasin près de chez vous
  1. Accueil
  2. Livres
  3. Sciences humaines
  4. Sciences
  5. Technique
  6. Énergie
  7. Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich

Transistor- und Leitungsmodellierung zum Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den hohen Millimeterwellen-Frequenzbereich

Dissertationsschrift

Sebastian Diebold
43,45 €
+ 86 points
Livraison sous 1 à 4 semaines
Passer une commande en un clic
Payer en toute sécurité
Livraison en Belgique: 3,99 €
Livraison en magasin gratuite

Description

Ziel ist der Entwurf von monolithisch integrierten Leistungsverstärkern für den Frequenzbereich von 200 bis über 250 GHz. Dafür sind verlässliche und flexible Leitungs- und Transistormodelle notwendig. Sie werden erstellt und ihre Genauigkeit wird bis 325 GHz bestätigt. Es wird ein Verstärkerkonzept erarbeitet, das maßgeschneidert für den Frequenzbereich und die MMIC-Technologie ist. Es nutzt einen neuartigen Koppler, der kompakte Verstärker mit hoher Bandbreite und Ausgangsleistung ermöglicht.

Spécifications

Parties prenantes

Auteur(s) :
Editeur:

Contenu

Nombre de pages :
252
Langue:
Allemand
Collection :
Tome:
n° 73

Caractéristiques

EAN:
9783731501619
Date de parution :
29-09-14
Format:
Livre broché
Format numérique:
Trade paperback (VS)
Dimensions :
148 mm x 210 mm
Poids :
303 g

Les avis